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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSP373 E6327
BSP373 E6327 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSP373 E6327 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSP373 E6327
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSP373 E6327
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
BSP373.pdf
En stock: 5250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSP373 E6327
Infineon Technologies - BSP373 E6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSP373 E6327

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT223-4  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSP373 E6327

Attributs du produit BSP373 E6327 BSP372NH6327XTSA1 BSP373L6327 BSP372 E6327
Modèle de produit BSP373 E6327 BSP372NH6327XTSA1 BSP373L6327 BSP372 E6327
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V 329 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 5V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 1.8V @ 218µA 4V @ 1mA 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±14V
Séries SIPMOS® OptiMOS™ SIPMOS® SIPMOS®
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.7A, 10V 230mOhm @ 1.8A, 10V 300mOhm @ 1.7A, 10V 310mOhm @ 1.7A, 5V
Package composant fournisseur PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223 PG-SOT223-4
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Ta) 1.8A (Ta) 1.7A (Ta) 1.7A (Ta)

Fiche technique BSP373 E6327 PDF

Téléchargez BSP373 E6327 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSP373 E6327 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 28/Mar/2008.pdf
Feuilles de données
BSP373.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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